室温生长ZnO薄膜晶体管的紫外响应特性

• 作者: 吕建国 吴萍 张杰 李喜峰 汪雷 陈凌翔
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO 薄膜晶体管 紫外响应 残余电导
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 467-471
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.018101

摘要

在室温下采用射频磁控溅射法制备了以ZnO薄膜为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).研究表明ZnO薄膜在紫外区具有较高的吸收率,并且ZnO-TFTs对紫外光照射较为敏感.因此,进一步深入研究了ZnO-TFTs紫外光照下的输出和转移特性,结果表明,紫外光照将引起较为明显的光响应电流,且经过光照的器件在光源移除7天后,ZnO沟道层中仍能观察到残余电导现象,其原因可以归结为紫外光辐射在ZnO沟道层中引入了一定数量的氧空位施主态缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李喜峰	上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室	21	70	5.0	6.0