α-Si：H/SiNx叠层薄膜对晶体硅太阳电池的钝化

• 作者: 余学功 杨德仁 郑雪
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 太阳电池 钝化 α-Si:H/SiNx薄膜 热处理
• 年，卷（期）: 2013,（19）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 534-538
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.198801

摘要

利用等离子增强化学气相沉积法在硅衬底上制备了α-Si：H/SiNx叠层薄膜用来钝化晶体硅太阳电池。用有效少子寿命表征薄膜的钝化效果，通过模拟高频电容-电压测试结果分析薄膜钝化的机理。将α-Si：H/SiNx薄膜的钝化效果与使用相同方法制备的α-Si：H薄膜进行对比，发现α-Si：H/SiNx薄膜的钝化效果明显优于α-Si：H薄膜。不同温度下热处理后，α-Si：H/SiNx薄膜的钝化效果随着温度的上升先提高后降低。在最佳热处理温度300?C下进行热处理，α-Si：H/SiNx薄膜的钝化效果能在90 min内始终保持优于α-Si：H薄膜。模拟计算结果表明，α-Si：H/SiNx薄膜的钝化效果与α-Si：H/Si界面处的态密度有关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
3	郑雪	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	5	1.0	1.0