紫外脉冲激光退火发次对KDP晶体抗损伤性能的影响*

• 作者: 刘红婕 向霞 周信达 王凤蕊 祖小涛 蒋晓东 郭德成 黄进
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 激光退火 荧光 拉曼 红外
• 年，卷（期）: 2013,（14）
• 页码范围: 476-481
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.147803

摘要

在R-on-1的辐照模式下,利用355 nm的紫外脉冲激光以低于KH2PO4(KDP)晶体零概率损伤阈值的通量对其进行不同发次的全域扫描,目的是为了研究KDP晶体在接受不同发次的紫外激光辐照后其抗损伤能力的变化规律及机制。辐照后的1-on-1损伤测试表明,适当的紫外激光退火可以有效地提升KDP晶体的抗损伤能力,提升的幅度与其接受激光扫描的次数有关。通过荧光和紫外吸收检测深入探讨了晶体内缺陷对激光退火的影响,结果表明：紫外脉冲激光辐照后KDP晶体内的氧空位电子缺陷的存在与否是导致其抗损伤能力变化的主要原因；通过拉曼和红外光谱的测量表明,辐照后KDP晶体内的PO4, P?OH和P=O基团的极化变形也导致了其抗损伤能力的改变。