应变Si NMOSFET漏电流解析模型

• 作者: 吕懿 周春宇 庄奕琪 张鹤鸣 李妤晨 王斌 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变Si NMOSFET 漏电流 解析模型
• 年，卷（期）: 2013,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237103-1-237103-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.237103

摘要

基于应变Si/SiGe器件结构，本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型。该模型采用平滑函数，实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数，从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性，解决了模型的连续性问题。同时考虑了载流子速度饱和效应和沟道长度调制效应的影响，进一步提高了模型精度。通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析，验证了所建模型的有效性。该模型可为应变Si数字集成电路和模拟集成电路分析、设计提供重要参考。