外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

• 作者: 宋志棠 封松林 汪辉 王文娟 王海龙 龚谦
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 激子 InGaAsP/InP量子阱 结合能 电场
• 年，卷（期）: 2013,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237104-1-237104-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.237104

摘要

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能，分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况，并且讨论了外加电场对激子结合能的影响。结果表明：激子结合能是阱宽的一个非单调函数，随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势；随着In组分增大，激子结合能达到最大值的阱宽相应变小，这与材料的带隙改变有关；在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小，但电场强度较大时会破坏激子效应。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	封松林	中国科学院上海高等研究院	44	296	8.0	16.0
2	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	51	197	8.0	12.0
3	汪辉	中国科学院上海高等研究院	23	76	5.0	7.0
4	龚谦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	22	55	5.0	6.0