高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计

• 作者: 周坤 尹超 张波 李肇基 王骁玮 罗小蓉 罗尹春 范叶 范远航 蔡金勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 高k介质 绝缘体上硅(SOI) 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2013,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237301-1-237301-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.237301

摘要

本文提出一种高k 介质电导增强SOI LDMOS 新结构(HK CE SOI LDMOS)，并研究其机理。 HK CE SOI LDMOS的特征是在漂移区两侧引入高k介质，反向阻断时，高k介质对漂移区进行自适应辅助耗尽，实现漂移区三维RESURF效应并调制电场，因而提高器件耐压和漂移区浓度并降低导通电阻。借助三维仿真研究耐压、比导通电阻与器件结构参数之间的关系。结果表明， HK CE SOI LDMOS与常规超结SOI LDMOS相比，耐压提高16%-18%，同时比导通电阻降低13%-20%，且缓解了由衬底辅助耗尽效应带来的电荷非平衡问题。