B-Al共掺杂3C-SiC的第一性原理研究

• 作者: 何静芳 史茹倩 周鹏力 郑树凯
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 3C-SiC B-Al共掺杂 电阻率 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（23）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 233101-1-233101-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.233101

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,计算了未掺杂, B, Al单掺杂和B-Al共掺杂的3C-SiC的晶格参数、能带结构、态密度、有效质量、载流子浓度和电阻率.计算结果表明：掺杂后导带和价带都向高能端移动,价带移动速度更快一些,使得禁带宽度都有一定程度的减小,其中B-Al共掺杂的禁带宽度最窄,纯净3C-SiC的禁带宽度最宽；B掺杂会减小价带顶空穴的有效质量, Al掺杂则反之, B-Al共掺杂补偿了二者的差异,和未掺杂的3C-SiC价带顶空穴的有效质量很接近. B和Al作为受主杂质,会极大地提高价带顶空穴载流子的浓度,而且B-Al共掺杂的3C-SiC的价带空穴浓度是B, Al单掺杂时的3倍.4种体系中, B-Al共掺杂得到的电阻率是最低的,同单掺杂相比具有明显的性能优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑树凯	河北大学电子信息工程学院	33	90	5.0	8.0
5	何静芳	河北大学电子信息工程学院	5	28	4.0	5.0
6	周鹏力	河北大学电子信息工程学院	5	28	4.0	5.0
7	史茹倩	河北大学电子信息工程学院	4	26	4.0	4.0