等离子体活化硒对电沉积Cu-In-Ga金属预制层硒化的影响

• 作者: 周志强 姜韬 孙云 孙国忠 张超 敖建平?
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Cu(In0.7Ga0.3)Se2 电沉积 Cu-In-Ga金属预制层 等离子体活化硒
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 516-523
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.078801

摘要

使用等离子体活化硒源对电沉积制备的Cu-In-Ga 金属预制层进行了硒化处理时,发现等离子体功率对Cu(In1?xGax)Se2(CIGS)晶粒的生长有重要影响,当等离子体功率为75 W时,制备出单一Cu(In0.7Ga0.3)Se2相的CIGS薄膜.通过对不同衬底温度的等离子体活化硒源硒化的CIGS薄膜进行了研究与分析,并与普通硒化后的薄膜进行对比,发现高活性硒在低温下会促进Ga-Se二元相的生成,从而有利于Cu(In0.7Ga0.3)Se2单相的生长.对等离子体硒化后的CIGS薄膜进行了电池制备,发现单相CIGS薄膜没有显著提高电池性能.通过优化工艺,所制备的CIGS电池效率达到了9.4%.