金属有机化学气相沉积法生长条件对AlN薄膜面内晶粒尺寸的影响

• 作者: 乐伶聪 刘宗顺 吴亮亮 李亮 江德生 赵德刚? 陈平
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: AlN Williamson-Hall 面内晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 086102-1-086102-5
• 分类号: 61.72.uj|61.05.cp
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.086102

摘要

研究了金属有机化学气相沉积设备生长条件对AlN薄膜质量的影响.应用Williamson-Hall方法测试并分析了不同氮化时间、AlN缓冲层生长时间、载气流量生长参数对AlN薄膜的面内晶粒尺寸的影响.实验结果表明,随着氮化时间减小,缓冲层生长时间增加,载气流量减少, AlN薄膜的侧向生长和岛的合并能力增强,面内晶粒尺寸增大,从而晶体质量也变好.