Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge1?xSnx合金

• 作者: 张东亮 张广泽 成步文 王启明 苏少坚 薛春来
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 锗锡合金 锗 分子束外延
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 457-461
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.058101

摘要

Ge1?xSnx是一种新型IV族合金材料,在光子学和微电子学器件研制中具有重要应用前景.本文使用低温分子束外延(MBE)法,在Ge(001)衬底上生长高质量的Ge1?xSnx合金,组分x分别为1.5%,2.4%,2.8%,5.3%和14%,采用高分辨X射线衍射(HR-XRD)、卢瑟福背散射谱(RBS)和透射电子显微镜(TEM)等方法表征Ge1?xSnx合金的材料质量.对于低Sn组分(x 5.3%)的样品, Ge1?xSnx合金的晶体质量非常好, RBS的沟道/随机产额比(χmin)只有5.0%, HR-XRD曲线中Ge1?xSnx衍射峰的半高全宽(FWHM)仅100′左右.对于x=14%的样品, Ge1?xSnx合金的晶体质量相对差一些, FWHM=264.6′.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	41	185	8.0	10.0
3	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	24	77	6.0	7.0
4	张东亮	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	6	107	5.0	6.0
5	张广泽	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	5	15	2.0	3.0
6	苏少坚	华侨大学信息科学与工程学院	5	8	2.0	2.0