Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响

• 作者: 付强 张万荣 张瑜洁* 路志义 邢光辉 郭振杰 金冬月 陈亮
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SiGe异质结双极型晶体管 温度特性 基区杂质分布 Ge组分分布
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 192-198
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.034401

摘要

众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响.均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数,具有较好的体内温度分布.进一步的研究表明,具有梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,不但使它的增益和截止频率具有较高的值,而且保持了较弱的温度敏感性,在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万荣	北京工业大学电子信息与控制工程学院	105	390	8.0	12.0
2	金冬月	北京工业大学电子信息与控制工程学院	49	155	8.0	8.0
3	陈亮	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	61	5.0	6.0
4	付强	北京工业大学电子信息与控制工程学院	17	39	4.0	5.0
5	邢光辉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	26	3.0	4.0
6	郭振杰	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	27	3.0	5.0
7	张瑜洁*	北京工业大学电子信息与控制工程学院	1	8	1.0	1.0