氨化法制备GaN:Tb纳米颗粒的光学性能

• 作者: 安秀云 张振兴 张海军 潘孝军* 谢二庆
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN:Tb纳米颗粒 Raman 光致发光 氨还原法
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 316-321
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.037105

摘要

利用简单的氨还原方法制备了GaN:Tb纳米颗粒. X射线衍射结果显示纳米颗粒为六方结构,根据Scherrer公式,计算得到了GaN:Tb纳米颗粒的平均晶粒大小为21.2 nm;透射电子显微镜结果显示为GaN:Tb纳米颗粒尺寸均匀,尺寸大小约为20 nm;除正常的GaN Raman振动模式外,还观察到了251和414 cm?12个额外的Raman散射峰,前者是表面无序或尺寸限制效应造成的,而后者则是八面体Ga-N6振动模式;最后,测量了GaN:Tb纳米颗粒的室温光致发光谱,获得了Tb3+离子在可见光区(位于493.9,551.2,594.4和630.1 nm)的本征发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	张海军	兰州大学物理科学与技术学院	17	84	5.0	9.0
3	张振兴	兰州大学物理科学与技术学院	20	40	4.0	5.0
4	潘孝军*	兰州大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
5	安秀云	兰州大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0