篇名 | The effects of strain and surface roughness scattering on the quasi-ballistic characteristics of a Ge nanowire p-channel field-effect transistor | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | nanowire strain surface roughness scattering quasi-ballistic | ||
年,卷(期) | 2013,(10) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 469-473 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 英文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/22/10/107104 |