应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型

• 作者: 周春宇 庄奕琪 张鹤鸣 王冠宇 王斌 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变Si NMOSFET 阈值电压 集约物理模型
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 377-384
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.077103

摘要

本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析,验证了本文提出的模型的正确性.该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考.