低温退火磷吸杂工艺对低少子寿命铸造多晶硅电性能的影响

• 作者: 姜丽丽 张凤鸣 路忠林 鲁雄
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 低温退火 磷吸杂 低少子寿命多晶硅 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 1-7
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.110101

摘要

本文针对低少子寿命铸造多晶硅片进行试验,通过一种将多温度梯度磷扩散吸杂工艺与低温退火工艺结合的新型低温退火吸杂工艺,去除低少子寿命多晶硅片中影响其电性能的Fe杂质及部分晶体缺陷,提高低少子寿命多晶硅所生产的太阳电池各项电性能.通过低温退火磷扩散吸杂工艺与其他磷扩散吸杂工艺的比较,证明了低温退火吸杂工艺具有更好的磷吸杂和修复晶体缺陷的作用. IV-measurement发现经过低温退火工艺处理后的低少子寿命多晶硅,制备的太阳电池光电转换效率比其他实验组高0.2%,表明该工艺能有效地提高低少子寿命多晶硅太阳电池各项电性能参数及电池质量.本研究结果表明新型低温退火磷吸杂工艺可将低少子寿命硅片应用于大规模太阳电池生产中,提高铸造多晶硅材料在太阳能领域的利用率,节约铸造多晶硅的生产成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲁雄	西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室材料科学与工程学院	23	273	10.0	16.0
2	姜丽丽	西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室材料科学与工程学院	4	121	2.0	4.0
3	路忠林		1	3	1.0	1.0
4	张凤鸣		1	3	1.0	1.0