铁磁绝缘体间的极薄Bi2Se3薄膜的相变研究

• 作者: 杨运友* 王怀强 盛利 邢定钰 鞠艳
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 拓扑绝缘体 交换场 反常量子霍尔效应 边缘态
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 329-334
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.037202

摘要

研究一个极薄三维拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜处于两个铁磁绝缘体层之间,其铁磁层的磁化方向都处于竖直平面,系统拓扑性质随磁化方向夹角的变化.从表面态电子低能有效哈密顿量出发计算系统的Chern数,和运用一个具有Armchair边界的单层六角晶格带的紧束缚模型模拟系统的体能带和边缘态,来确定系统所处的拓扑相.发现两个铁磁层的磁化方式从平行转到反平行的某一临界角度,系统经历从反常量子霍尔相到普通绝缘相的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邢定钰	南京大学固体微结构物理国家重点实验室和物理学院	11	81	4.0	8.0
2	王怀强	南京大学固体微结构物理国家重点实验室和物理学院	9	32	3.0	5.0
3	盛利	南京大学固体微结构物理国家重点实验室和物理学院	4	6	1.0	2.0
4	杨运友*	南京大学固体微结构物理国家重点实验室和物理学院	1	1	1.0	1.0
5	鞠艳	南京大学固体微结构物理国家重点实验室和物理学院	1	1	1.0	1.0