磁存储器环形带切口结构自由层磁化反转的微磁模拟

• 作者: 郝建红 高辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 自由层结构 磁化翻转 微磁 VMRAM
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 418-425
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.057502

摘要

针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器,使用带斜面切口环形结构自由层,抛弃采用厚度改变矫顽力的方式,降低了磁性隧道结的面积电阻,改进了垂直电流磁随机存储器.通过集成工艺中淀积的二次效应生成磁环的切口,利用微磁学方法计算分析了自由层的磁化反转特性,结果表明该模型具有低串扰、低面积电阻、高磁阻率以及较强的抗干扰性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝建红	华北电力大学电气与电子工程学院	95	380	11.0	16.0
2	高辉	华北电力大学电气与电子工程学院	1	4	1.0	1.0