单Halo全耗尽应变Si绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型*

• 作者: 刘红侠 卓青青 范小娇 辛艳辉?
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变Si 阈值电压 短沟道效应 漏致势垒降低
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 428-433
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.108501

摘要

为了改善金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应(SCE)、漏致势垒降低(DIBL)效应,提高电流的驱动能力,提出了单Halo全耗尽应变硅绝缘体(SOI) MOSFET结构,该结构结合了应变Si,峰值掺杂Halo结构, SOI三者的优点.通过求解二维泊松方程,建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型.模型中分析了弛豫层中的Ge组分对表面势、表面场强和阈值电压的影响,不同漏电压对表面势的影响, Halo掺杂对阈值电压和DIBL的影响.结果表明,该新结构能够抑制SCE和DIBL效应,提高载流子的输运效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	卓青青	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	33	4.0	5.0
3	范小娇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	9	2.0	2.0
4	辛艳辉?	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0