忆阻逾渗导电模型中的初态影响*

• 作者: 刘海军* 徐欣 李智炜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 忆阻器 开关元件 逾渗模型 初态分析
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 351-356
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.096401

摘要

逾渗网格模型是当前忆阻器件机理分析研究领域的热点之一,但现有模型缺乏对初态设定的讨论.本文对逾渗网格模型进行了简化,并基于此,通过电压激励步进的方式,研究了不同初态对单极性忆阻开关元件中逾渗导电通道形成的影响,分析了形成通道的动态过程以及相应的物理意义,验证了忆阻开关元件高低阻态的阻值实际表现为高斯分布而非理想双值稳态;而不同初态条件下,忆阻开关元件导电通道的形状存在着不同的“树形”结构,进而影响着其阻值的分布.研究成果有助于进一步揭示忆阻器尚未明确的导电机理,为今后对具体不同类型的忆阻元件的初态分析提供指导性作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐欣	国防科学与技术大学电子科学与工程学院	18	118	7.0	10.0
2	李智炜	国防科学与技术大学电子科学与工程学院	1	10	1.0	1.0
3	刘海军*	国防科学与技术大学电子科学与工程学院	1	10	1.0	1.0