高入射能量下的金属二次电子发射模型

• 作者: 刘纯亮 李永东? 杨文晋
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二次电子发射 高入射能量 金属表面 散射过程
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 087901-1-087901-5
• 分类号: 79.20.Hx|07.05.Tp
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.087901

摘要

基于高入射能量电子产生二次电子发射的物理过程,分别对高入射能量电子产生的真二次电子和背散射电子的概率进行理论分析与建模.利用Bethe能量损失模型和内二次电子逸出概率分布,推导出高入射能量电子产生有效真二次电子发射的系数与入射能量的关系式;根据高入射能量电子在材料内部被吸收的规律,推导出高入射能量电子产生背散射电子的系数与入射能量之间的关系式.结合两者得到高入射能量下金属的二次电子发射模型.利用该模型计算得到典型金属材料Au, Ag, Cu, Al的二次电子发射系数,理论计算结果与采用Casino软件模拟金属内部散射过程得到的数值模拟结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纯亮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	124	527	9.0	16.0
2	杨文晋	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	2	11	2.0	2.0
3	李永东?	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	6	1.0	1.0