脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜的低阈值电抽运紫外随机激射

• 作者: 徐韵 李云鹏 杨德仁 金璐 马向阳?
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 随机激射 ZnO薄膜 脉冲激光沉积 溅射
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 084207-1-084207-6
• 分类号: 42.55.Zz|73.40.Qv|78.60.Fi
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.084207

摘要

分别采用直流反应溅射法和脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积ZnO薄膜,用X射线衍射、扫描电镜、光致发光谱等手段对两种方法沉积的ZnO薄膜的结晶状态、表面形貌和光致发光等进行了表征.进一步对比研究了以上述两种方法制备的ZnO薄膜作为发光层的金属-绝缘体-半导体结构器件的电抽运紫外随机激射.结果表明,与以溅射法制备的ZnO薄膜作为发光层的器件相比,以脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜为发光层的器件具有更低的紫外光随机激射阈值电流和更高的输出光功率.这是由于脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜中的缺陷更少,从而显著地减少了紫外光在光散射过程中的光损耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	金璐	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	27	3.0	5.0
3	徐韵	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	8	1.0	1.0
4	李云鹏	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	8	1.0	2.0
5	马向阳?	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	8	1.0	1.0