单轴应变Si(001)任意晶向电子电导有效质量模型

• 作者: 乔丽萍 刘策 王江安 郭晨 靳钊
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单轴应变 E-k关系 电导有效质量
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 515-521
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.058501

摘要

单轴应变Si材料电子电导有效质量是理解其电子迁移率增强的关键因素之一,对其深入研究具有重要的理论意义和实用价值.本文从Schr¨odinger方程出发,将应力场考虑进来,建立了单轴应变Si材料导带E-k解析模型.并在此基础上,最终建立了单轴应变Si(001)任意晶向电子电导率有效质量与应力强度和应力类型的关系模型.本文的研究结果表明:1)单轴应力致电子迁移率增强的应力类型应选择张应力.2)单轴张应力情况下,仅从电子电导有效质量角度考虑,[110]/(001)晶向与[100]/(001)晶向均可.但考虑到态密度有效质量的因素,应选择[110]/(001)晶向.3)沿(001)晶面上[110]晶向施加单轴张应力时,若想进一步提高电子迁移率,应选取[100]晶向为器件沟道方向.以上结论可为应变Si nMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供重要理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘策	长安大学信息工程学院	15	15	2.0	3.0
2	郭晨	长安大学信息工程学院	26	40	3.0	5.0
3	王江安	长安大学信息工程学院	13	37	4.0	5.0
4	靳钊	长安大学信息工程学院	10	13	2.0	3.0
5	乔丽萍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	5	9	2.0	2.0