晶粒尺寸对1MeV电子在金属Ni中能量沉积的影响*

• 作者: 何世禹 刘海 刘超铭 李兴冀* 杨剑群 马国亮
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 高能电子 纳米金属 辐射损伤
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 84-90
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.091401

摘要

采用脉冲电沉积方法制备出高致密、高质量的纳米晶Ni,并对其密度、组织成分和微观结构进行了表征.利用高能粒子加速器产生的1 MeV高能电子为辐照源,研究高能电子在纳米晶Ni和常规粗晶Ni中的能量损失.通过辐照过程中放置的吸收剂量片来准确表征其电子的能量沉积.结果表明,晶粒尺寸对高能电子在材料中的能量沉积有明显的影响,1 MeV电子在穿过一定厚度的金属Ni后,在晶粒尺寸细小的纳米晶Ni中测得总的吸收剂量较大,证明了高能电子在纳米材料中的总能量沉积较小,从而表现出纳米材料抗辐照的优异性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何世禹	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	122	1160	17.0	24.0
2	刘海	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	28	198	9.0	13.0
3	刘超铭	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	13	19	2.0	3.0
4	杨剑群	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	16	38	2.0	5.0
5	马国亮	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	11	21	2.0	4.0
6	李兴冀*	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	11	2.0	2.0