氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响

• 作者: 于芳 唐海马 宁瑾 张百强 杨志安? 郑中山
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 绝缘体上硅(SOI)材料 注氮 注氟 埋氧层正电荷密度
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 444-450
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.117303

摘要

为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适当的退火,对埋层进行改性.利用高频电容-电压(C-V)表征技术,对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征.结果表明,在大多数情况下,氮氟复合注入能够有效地降低注氮埋层内的正电荷密度,且其降低的程度与注氮后的退火时间密切相关.分析认为,注氟导致注氮埋层内的正电荷密度降低的原因是在埋层中引入了与氟相关的电子陷阱.另外,实验还观察到,在个别情况下,氮氟复合注入引起了埋层内正电荷密度的进一步上升.结合测量结果,讨论分析了该现象产生的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁瑾	中国科学院半导体研究所	13	44	4.0	6.0
2	于芳	中国科学院微电子研究所	28	112	6.0	9.0
3	郑中山	中国科学院微电子研究所	7	17	3.0	3.0
4	唐海马	济南大学物理科学与技术学院	3	3	1.0	1.0
5	杨志安?	济南大学物理科学与技术学院	2	3	1.0	1.0
6	张百强	济南大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0