应变Si NMOS积累区电容特性研究

• 作者: 吕懿 周春宇 张玉明 张鹤鸣 李妤晨 王斌 胡辉勇 舒斌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变Si NMOS 积累区电容 台阶效应 电荷分布
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 369-374
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.057103

摘要

积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V 特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的正确性.最后,基于该模型,研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响,为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用.本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中,为器件仿真奠定了理论基础.