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摘要:
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V 特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的正确性.最后,基于该模型,研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响,为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用.本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中,为器件仿真奠定了理论基础.
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文献信息
篇名 应变Si NMOS积累区电容特性研究
来源期刊 物理学报 学科
关键词 应变Si NMOS 积累区电容 台阶效应 电荷分布
年,卷(期) 2013,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 369-374
页数 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.62.057103
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研究主题发展历程
节点文献
应变Si NMOS
积累区电容
台阶效应
电荷分布
研究起点
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期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
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2-425
1933
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