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应变Si NMOS积累区电容特性研究
应变Si NMOS积累区电容特性研究
作者:
吕懿
周春宇
张玉明
张鹤鸣
李妤晨
王斌
胡辉勇
舒斌
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
应变Si NMOS
积累区电容
台阶效应
电荷分布
摘要:
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V 特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的正确性.最后,基于该模型,研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台阶效应的影响,为应变Si器件的制造提供了重要的指导作用.本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件中,为器件仿真奠定了理论基础.
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篇名
应变Si NMOS积累区电容特性研究
来源期刊
物理学报
学科
关键词
应变Si NMOS
积累区电容
台阶效应
电荷分布
年,卷(期)
2013,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
369-374
页数
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.62.057103
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应变Si NMOS
积累区电容
台阶效应
电荷分布
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
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