CaCu3Ti4O12陶瓷松弛损耗机理研究

• 作者: 李建英 李盛涛? 林春江 王辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: CaCu3Ti4O12陶瓷 介电损耗 松弛过程 Schottky势垒
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 087702-1-087702-6
• 分类号: 77.22.Gm|77.22.?d|81.05.Je
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.087702

摘要

CaCu3Ti4O12介电损耗较大且损耗机理尚不明确,因此限制了其应用.本文采用固相法和共沉淀法合成CaCu3Ti4O12陶瓷,利用宽带介电温谱研究在交流小信号作用下,双Schottky势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程、载流子松弛过程以及CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗性能.研究发现,在低频下以跳跃电导和直流电导的响应为主,而高频下主要为深陷阱能级的松弛过程所致,特别是活化能为0.12 eV的深陷阱浓度,这是决定CaCu3Ti4O12陶瓷高频区介电损耗的重要因素.降低直流电导,有利于降低低频区介电损耗;而高频区介电损耗的降低,需要降低深陷阱浓度或增大晶粒尺寸.共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷,有效降低直流电导及控制深陷阱浓度,介电损耗降低明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王辉	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	93	983	16.0	27.0
2	李建英	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	80	757	17.0	24.0
3	林春江	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	15	2.0	2.0
4	李盛涛?	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	2	15	2.0	2.0