60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响

• 作者: 于新 何承发 吴正新 张兴尧 张孝富 李豫东 申志辉 罗木昌 邓伟 郭旗
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 高铝组分AlxGa1?xN γ射线辐射效应 理想因子 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 323-328
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.076106

摘要

采用60Coγ射线源对高铝组分Al0.5Ga0.5N盲紫外p-i-n结构光探测器和Si基可见光p-i-n结构探测器进行了累计剂量分别为0.1,1,10 Mrad(Si)总剂量辐照实验.实验发现,随着辐照剂量的增加, AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器的理想因子显著增大,辐照后理想因子n>2;而Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子随辐照剂量的变化并不明显. AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器理想因子的退化可能主要是因为欧姆接触性能的退化, Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子的变化则可能是由于敏感层的退化.