基于电压电流的IGBT关断机理与关断时间研究

• 作者: 刘宾礼 刘德志 唐勇 汪波 罗毅飞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 关断机理 耗尽层 载流子 关断时间
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 389-397
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.057202

摘要

基于半导体物理和IGBT基本结构,深入论述了IGBT关断机理,推导出IGBT关断时间随电压和电流的变化规律:关断时间随电压的增大而增大,随电流的增大而减小.查明了变化规律的物理机理,仿真和实验结果验证了理论推导与所得变化规律的正确性.提出采用指数与双曲线复合规律描述IGBT关断时间的变化.对深化IGBT关断机理和解决电力电子装置死区时间设置等工程问题具有一定的理论意义和应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘德志	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	64	680	15.0	22.0
2	汪波	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	20	480	13.0	20.0
3	唐勇	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	26	632	14.0	25.0
4	刘宾礼	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	21	337	9.0	18.0
5	罗毅飞	海军工程大学舰船综合电力技术国防科技重点实验室	15	115	5.0	10.0