双量子阱中光子辅助电子自旋隧穿*

• 作者: 叶宝生 张燕翔 徐燕 李春雷?
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 光子辅助隧穿 隧穿概率 量子阱
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 374-379
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.107301

摘要

采用单电子有效质量近似理论, Floquet理论和传递矩阵方法,对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究,对InP/InAs半导体材料进行了数值计算.重点研究了Rashba型和Dresselhaus型自旋轨道耦合、量子阱结构以及偏压对电子隧穿的影响.这些结果可以为设计和调控半导体自旋电子器件提供一定的理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶宝生	首都师范大学初等教育学院微尺度功能材料实验室	59	76	5.0	7.0
2	徐燕	首都师范大学初等教育学院微尺度功能材料实验室	15	50	4.0	6.0
3	张燕翔	首都师范大学初等教育学院微尺度功能材料实验室	12	12	2.0	3.0
4	李春雷?	首都师范大学初等教育学院微尺度功能材料实验室	1	1	1.0	1.0