N离子注入富氧ZnO薄膜的p型导电及拉曼特性研究

• 作者: 孔春阳 孟祥丹 崔玉亭 方亮 李万俊 杨天勇 梁薇薇 秦国平 赵永红 阮海波
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 富氧ZnO 离子注入 p型导电 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 382-386
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.037703

摘要

采用射频磁控溅射法在富氧环境下制备ZnO薄膜,继而结合N离子注入及热退火实现薄膜的N掺杂及p型转变,借助霍尔测试和拉曼光谱研究了N离子注入富氧ZnO薄膜的p型导电及拉曼特性.结果表明,在600?C温度下退火120 min可获得性能较优的p-ZnO:N薄膜,其空穴浓度约为2.527×1017 cm?3. N离子注入ZnO引入了三个附加拉曼振动模,分别位于274.2,506.7和640.4 cm?1.结合电学及拉曼光谱的分析发现,退火过程中施主缺陷与N受主之间的相互作用对p-ZnO的形成产生重要影响.