环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

• 作者: 张鹤鸣 许立军?
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管 二维泊松方程 阈值电压模型 漏致势垒降低
• 年，卷（期）: 2013,（10）
• 页码范围: 434-439
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.108502

摘要

结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	许立军?	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	5	1.0	1.0