H和Ar11激发Si的K壳层X射线发射研究

• 作者: 任洁茹 周贤明 孙渊博 张小安 徐戈 李耀宗 梁昌慧 梅策香 王兴 王瑜玉 程锐 肖国青 赵永涛? 雷瑜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: X射线 高电荷态重离子 多电离
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 页码范围: 083201-1-083201-6
• 分类号: 32.30.Rj|34.80.Dp|79.20.Rf
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.083201

摘要

测量了50—250 keV H+和1.0—3.0 MeV Ar11+轰击Si表面过程中辐射的X射线.结果表明,在Ar11+入射的情况下,引起了Si的L壳层上3,4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面,并将两体碰撞近似(BEA),平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合;而考虑多电离后, BEA理论与Ar11+的实验结果符合较好.