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超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型*
超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型*
作者:
柯导明*
王保童
王敏
迟晓丽
韩名君
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
半解析法
电势
阈值电压
MOSFET
摘要:
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45-22 nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同.
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篇名
超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型*
来源期刊
物理学报
学科
关键词
半解析法
电势
阈值电压
MOSFET
年,卷(期)
2013,(9)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
469-476
页数
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.62.098502
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
韩名君
安徽大学电子信息工程学院
10
37
4.0
6.0
2
王敏
安徽大学电子信息工程学院
43
112
5.0
8.0
3
王保童
安徽大学电子信息工程学院
4
22
3.0
4.0
4
柯导明*
安徽大学电子信息工程学院
1
11
1.0
1.0
5
迟晓丽
安徽大学电子信息工程学院
1
11
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节点文献
半解析法
电势
阈值电压
MOSFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
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