超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型*

• 作者: 柯导明* 王保童 王敏 迟晓丽 韩名君
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 半解析法 电势 阈值电压 MOSFET
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 469-476
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.098502

摘要

本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45-22 nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩名君	安徽大学电子信息工程学院	10	37	4.0	6.0
2	王敏	安徽大学电子信息工程学院	43	112	5.0	8.0
3	王保童	安徽大学电子信息工程学院	4	22	3.0	4.0
4	柯导明*	安徽大学电子信息工程学院	1	11	1.0	1.0
5	迟晓丽	安徽大学电子信息工程学院	1	11	1.0	1.0