总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究

• 作者: 丛忠超 任迪远 余学峰? 崔江维 郑齐文 郭旗
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 静态随机存储器 功能失效 测试图形 数据保存错误
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 370-376
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.116101

摘要

本文对静态随机存储器(SRAM)总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试.利用不同测试图形覆盖的出错模式不同,通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异,以及对失效存储单元单独进行测试,研究了总剂量辐照引起的SRAM器件功能失效模式.研究表明:器件的功能失效模式为数据保存错误(Data retention fault)且数据保存时间具有离散性,引起数据保存错误的SRAM功能模块为存储单元.通过对存储单元建立简化的等效电路图,分析了造成存储单元数据保存错误以及保存时间离散性的原因,并讨论了该失效模式对SRAM总剂量辐射功能测试方法的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
2	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
3	郑齐文	中国科学院新疆理化技术研究所	2	4	1.0	2.0
4	余学峰?	中国科学院新疆理化技术研究所	1	4	1.0	1.0
5	崔江维	中国科学院新疆理化技术研究所	3	10	2.0	3.0
6	丛忠超	中国科学院新疆理化技术研究所	1	4	1.0	1.0