直流老化及热处理对ZnO压敏陶瓷缺陷结构的影响

• 作者: 李建英? 李盛涛 贾然 赵学童
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 介电性能 直流老化 热处理
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 410-416
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.077701

摘要

在电场为3.2 kV/cm,电流密度为50 mA/cm2条件下对ZnO压敏陶瓷进行了115 h的直流老化,研究了直流老化对ZnO压敏陶瓷电气性能及缺陷结构的影响.发现直流老化115 h后ZnO压敏陶瓷的电位梯度、非线性系数分别从2845 V/cm,38.3下降到51.6 V/cm,1.1,介电损耗中的缺陷松弛峰被增大的直流电导掩盖,电模量中只观察到一个缺陷松弛峰,低频区交流电导率急剧增大并且相应的电导活化能从0.84 eV下降到只有0.083 eV.通过对直流老化后的ZnO压敏陶瓷在800?C进行12 h的热处理,发现其电气性能和介电性能都得到了良好的恢复并有一定的增强,电位梯度、非线性系数恢复到3085 V/cm,50.8,电导活化能上升到0.88 eV.另外,其本征氧空位缺陷松弛峰也得到了一定的抑制.因此,认为热处理过程中氧在晶界处的扩散作用对ZnO压敏陶瓷的直流老化恢复起到了关键作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
2	贾然	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	5	20	3.0	4.0
3	赵学童	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	5	110	4.0	5.0
4	李建英?	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	1	13	1.0	1.0