Cu(In, Ga)Se2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程

• 作者: 何青 刘芳芳 张力?
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: CIGS薄膜 共蒸发三步法 相变过程
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 385-391
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.077201

摘要

CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发“三步法”工艺沉积Gu(In, Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了“三步法”工艺的相变过程,并制备出转换效率超过15%的CIGS薄膜太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何青	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	40	365	11.0	18.0
2	刘芳芳	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	19	224	7.0	14.0
3	张力?	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	1	1	1.0	1.0