InGaAs薄膜表面的粗糙化过程

• 作者: 丁召 刘珂 周勋 周清 张毕禅 王继红 罗子江 郭祥
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InGaAs薄膜 粗糙化 预粗糙化
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 283-288
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.036802

摘要

采用 STM 分析 InGaAs 表面形貌演变研究 InGaAs 表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程,特别针对In0.15Ga0.85As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究.发现In0.15Ga0.85As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程.在低温低As等效束流压强下,薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程,起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式,随着退火时间的延长,大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态;在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛,退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态,表面形貌将长期处于预粗糙状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗子江	贵州大学理学院	18	45	4.0	6.0
2	王继红	贵州大学理学院	24	46	3.0	5.0
3	周勋	贵州大学理学院	18	49	4.0	6.0
4	张毕禅	贵州大学理学院	3	3	1.0	1.0
5	郭祥	贵州大学理学院	25	32	3.0	4.0
6	丁召	贵州大学理学院	67	161	6.0	8.0
7	周清	贵州大学理学院	6	13	2.0	3.0
8	刘珂	贵州大学理学院	8	17	3.0	4.0