基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
衬底温度保持恒定,在 Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发 Ga, In, Cu 制备厚度约为0.7μm 的Cu(In0.7Ga0.3)Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析薄膜的晶体结构及物相组成,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶质量,二次离子质谱仪测试薄膜内部元素分布,拉曼散射谱分析薄膜表面构成,带积分球附件的分光光度计测量薄膜光学性能.研究发现在Ga-In-Se预制层内, In主要通过晶界扩散引起Ga/(Ga+In)分布均匀化.衬底温度高于450?C时,薄膜呈现单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相;低于400?C,薄膜存在严重的Ga的两相分离现象,且高含Ga相主要存在于薄膜的上下表面;低于300?C,薄膜结晶质量进一步恶化.薄膜表层的高含Ga相Cu(In0.5Ga0.5)Se2以小晶粒形式均匀分布于薄膜表面,增加了薄膜的粗糙度,在电池内形成陷光结构,提高了超薄电池对光的吸收.加上带隙值较小的低含Ga相的存在,使电池短路电流密度得到较大改善.衬底温度在550?C—350?C变化时,短路电流密度JSC是影响超薄电池转换效率的主要因素;而衬底温度Tsub低于300?C时,开路电压VOC和填充因子FF降低已成为电池性能减退的主要原因. Tsub为350?C时制备的0.7μm左右的超薄CIGS电池转换效率达到了10.3%.
推荐文章
Cu(In,AI)Se2薄膜太阳电池
CIAS
薄膜太阳电池
真空蒸镀
磁控溅射
墨水涂覆
高效HIT太阳电池组件及其应用
异质结
太阳电池
组件
应用
多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池光强特性的研究
CIGS薄膜
太阳电池
光强特性
弱光特性
不同拓扑结构太阳电池联结损失的仿真分析
太阳电池
拓扑结构
联结损失
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 低温超薄高效Cu(In, Ga)Se2太阳电池的实现
来源期刊 物理学报 学科
关键词 Cu(In,Ga)Se2薄膜 衬底温度 超薄 太阳电池
年,卷(期) 2013,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 479-486
页数 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.62.048401
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2013(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2014(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
Cu(In,Ga)Se2薄膜
衬底温度
超薄
太阳电池
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
论文1v1指导