衬底温度保持恒定,在 Se 气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发 Ga, In, Cu 制备厚度约为0.7μm 的Cu(In0.7Ga0.3)Se2(CIGS)薄膜.利用X 射线衍射仪分析薄膜的晶体结构及物相组成,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶质量,二次离子质谱仪测试薄膜内部元素分布,拉曼散射谱分析薄膜表面构成,带积分球附件的分光光度计测量薄膜光学性能.研究发现在Ga-In-Se预制层内, In主要通过晶界扩散引起Ga/(Ga+In)分布均匀化.衬底温度高于450?C时,薄膜呈现单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相;低于400?C,薄膜存在严重的Ga的两相分离现象,且高含Ga相主要存在于薄膜的上下表面;低于300?C,薄膜结晶质量进一步恶化.薄膜表层的高含Ga相Cu(In0.5Ga0.5)Se2以小晶粒形式均匀分布于薄膜表面,增加了薄膜的粗糙度,在电池内形成陷光结构,提高了超薄电池对光的吸收.加上带隙值较小的低含Ga相的存在,使电池短路电流密度得到较大改善.衬底温度在550?C—350?C变化时,短路电流密度JSC是影响超薄电池转换效率的主要因素;而衬底温度Tsub低于300?C时,开路电压VOC和填充因子FF降低已成为电池性能减退的主要原因. Tsub为350?C时制备的0.7μm左右的超薄CIGS电池转换效率达到了10.3%.