掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响

• 作者: 刘智 成步文? 李亚明 王启明 薛春来
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ge/Si量子点 磷掺杂 光致发光
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 335-338
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.076108

摘要

利用超高真空化学气相沉积设备,在Si (001)衬底上外延生长了多个四层Ge/Si量子点样品.通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了未掺杂、磷掺杂和硼掺杂.相比未掺杂的样品,磷掺杂不影响Ge/Si量子点的表面形貌,但可以有效增强其室温光致发光;而硼掺杂会增强Ge/Si量子点的合并,降低小尺寸Ge/Si量子点的密度,但其光致发光会减弱.磷掺杂增强Ge/Si量子点光致发光的原因是,磷掺杂为Ge/Si量子点提供了更多参与辐射复合的电子.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	118	735	14.0	20.0
2	刘智	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	25	612	11.0	24.0
3	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	24	77	6.0	7.0
4	李亚明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	10	160	4.0	10.0
5	成步文?	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	2	4	1.0	2.0