CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究

• 作者: 冯秋菊 刘洋 吕佳音 唐凯 宋哲 徐坤 李梦轲 李荣 蒋俊岩 郭慧颖
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: CVD p-ZnO 异质结 电致发光
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 438-442
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.057802

摘要

利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800?C下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现的电导类型为p型,载流子浓度为9.56×1017 cm?3.此外,该器件还表现出良好的整流特性,正向开启电压为4.0 V,反向击穿电压为9.5 V.在正向45 mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光.这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现,这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法.