高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究

• 作者: 宋淑梅 李帅帅 李延辉 杨田林? 梁朝旭 王雪霞 辛艳青
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 有源层
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 405-409
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.077302

摘要

由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极,用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸,制备了具有高迁移率、底栅结构的n型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT).利用X射线衍射仪(XRD)和紫外可见光分光光度计分别测试了IGZO薄膜的衍射图谱和透过率图谱,研究了IGZO薄膜的结构和光学特性.通过测试IGZO-TFT的输出特性和转移特性曲线,讨论了IGZO有源层厚度对IGZO-TFT特性的影响.制备的IGZO-TFT器件的场效应迁移率高达15.6 cm2·V?1·s?1,开关比高于107.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李延辉	山东大学威海空间科学与物理学院	9	32	4.0	5.0
2	宋淑梅	山东大学威海空间科学与物理学院	15	40	4.0	6.0
3	李帅帅	山东大学威海空间科学与物理学院	6	56	3.0	6.0
4	王雪霞	山东大学威海空间科学与物理学院	2	11	2.0	2.0
5	辛艳青	山东大学威海空间科学与物理学院	10	32	4.0	5.0
6	梁朝旭	山东大学威海空间科学与物理学院	1	6	1.0	1.0
7	杨田林?	山东大学威海空间科学与物理学院	1	6	1.0	1.0