等离子增强原子层沉积低温生长AlN薄膜*

• 作者: 冯嘉恒 刘邦武 唐立丹? 夏洋 王冰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氮化铝 等离子增强原子层沉积 低温生长 晶态薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 438-443
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.117302

摘要

采用等离子增强原子层沉积技术在单晶硅基体上成功制备了AlN晶态薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、小角掠射X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析,结果表明,采用等离子增强原子层沉积制备AlN晶态薄膜的最低温度为200?C,薄膜表面平整光滑,具有六方纤锌矿结构与(100)择优取向, Al2p与N1S的特征峰分别为74.1 eV与397.0 eV,薄膜中Al元素与N元素以Al-N键相结合,且成分均匀性良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	67	325	9.0	14.0
2	刘邦武	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	17	96	6.0	8.0