Cr和W掺杂的单层MoS2电子结构的第一性原理研究

• 作者: 刘刚 吴木生 徐波* 欧阳楚英
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二硫化钼 掺杂 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 304-309
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.037103

摘要

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和W掺杂对单层二硫化钼(MoS2)晶体的电子结构性质的影响.计算结果表明:当掺杂浓度较高时, W对MoS2的能带结构几乎没有影响,而Cr的掺杂则影响很大,表现为能带由直接带隙变为间接带隙,且禁带宽度减小.通过进一步分析,得出应力的产生是导致Cr掺杂的MoS2电子结构变化的最直接的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘刚	江西师范大学物理与通信电子学院	40	226	9.0	13.0
2	欧阳楚英	江西师范大学物理与通信电子学院	22	88	5.0	8.0
3	吴木生	江西师范大学物理与通信电子学院	11	86	4.0	9.0
4	徐波*	江西师范大学物理与通信电子学院	1	30	1.0	1.0