单电子晶体管电流解析模型及数值分析

• 作者: 秦华 苏丽娜 闫大为 顾晓峰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单电子晶体管 解析模型 蒙特卡罗法 主方程法
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 398-404
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.077301

摘要

本文首先建立单电子晶体管的电流解析模型,然后将蒙特卡罗法与主方程法结合进行数值分析,研究了栅极偏压、漏极偏压、温度与隧道结电阻等参数对器件特性的影响.结果表明:对于对称结,库仑台阶随栅极偏压增大而漂移;漏极电压增大,库仑振荡振幅增强,库仑阻塞则衰减;温度升高将导致库仑台阶和库仑振荡现象消失.对于非对称结,源漏隧道结电阻比率增大,库仑阻塞现象越明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	22	113	6.0	9.0
2	苏丽娜	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	2	25	1.0	2.0
3	秦华	纳米器件与应用重点实验室中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	0	0.0	0.0
4	闫大为	轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系	3	3	1.0	1.0