纳米压印技术制备表面光子晶体LED的研究

• 作者: 吴小峰 孙堂友 彭静 徐智谋
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 光子晶体 纳米压印 发光二极管
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 237-243
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.036104

摘要

利用表面光子晶体能大幅提高发光二极管(LED)的外量子效率,但如何制备大面积的纳米光子晶体是该研究方向的主要难点之一.本文基于纳米压印技术在氮化镓基发光二极管(GaN-LED)表面制作孔状二维光子晶体.通过以金属和聚合物双层掩膜干法刻蚀法,得到了很好的光子晶体图形转移效果.最终在LED的p-GaN层表面获得了大面积光子晶体,周期为450 nm,纳米孔直径为240 nm.器件测试结果显示,有表面光子晶体的LED比没有光子晶体的LED,光致发光强度峰值提高到了7.2倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭静	武汉科技大学理学院	16	52	4.0	6.0
2	徐智谋	华中科技大学光学与电子信息学院	21	120	8.0	9.0
3	吴小峰	华中科技大学光学与电子信息学院	1	9	1.0	1.0
4	孙堂友	华中科技大学光学与电子信息学院	4	41	4.0	4.0