缺陷黄铜矿结构XGa2S4(X=Zn, Cd, Hg)晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究

• 作者: 张现周 焦照勇 牛毅君 郭永亮?
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 缺陷黄铜矿结构 电子结构 光学性质 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 133-139
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.073101

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法对缺陷黄铜矿结构XGa2S4(X =Zn, Cd, Hg)晶体的晶格结构、电学以及光学性质进行了对比研究.分析比较了它们的晶格常数、键长、能带结构、态密度、介电函数、折射率和反射系数等性质,并总结其变化趋势.结果表明:这三种材料的光学性质在中间能量区域(4 eV—10 eV)表现出较强的各向异性,而在低能区域(<4 eV)和高能区域(>10 eV)各向异性较弱. ZnGa2S4和HgGa2S4两种材料的折射率曲线在等离子体频率ωp处有一明显的拐点,反射系数在ωp处达到最大值后急剧下降.三种晶体的强反射峰均处于紫外区域,因此可以用作紫外光屏蔽或紫外探测材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张现周	河南师范大学物理与电子工程学院	73	229	8.0	12.0
2	焦照勇	河南师范大学物理与电子工程学院	26	47	3.0	5.0
3	牛毅君	河南师范大学物理与电子工程学院	3	4	2.0	2.0
4	郭永亮?	河南师范大学物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0