半超结SBD的研究

• 作者: 郝红蕾
• 来源期刊: 信息通信
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 超结 半超结 底端辅助层
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 学术研究
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1667字
• 语种: 中文

摘要

由于导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,肖特基二极管(SBD)不能够应用于高压功率领域.为了改善导通电阻与击穿电压之间的关系,提出了半超结理论及其设计方法.通过对器件结构参数进行计算和优化,构成了一种实现半超结SBD的工艺方法,并利用Silvaco TCAD软件进行仿真验证.结果表明,利用该优化方案,可以得到击穿电压为500V,导通电阻为37mΩ· cm2的半超结SBD器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝红蕾	贵州大学理学院电子科学系	1	0	0.0	0.0