多量子阱垒结构优化提高GaN基LED发光效率研究

• 作者: 游瑜婷
• 来源期刊: 科技创新导报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN基LED 多量子阱 InGaN 垒结构
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: O471
• 字数: 2263字
• 语种: 中文

摘要

为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发光效率的问题,以k.p理论为基础建立多量子阱模型,分析研究了GaN基LED中不同的InGaN/InGaN多量子阱发光层势垒结构.基于化合物半导体器件的电学.光学和热学属性的有限元分析,设计与优化多量子阱中靠近P型AIGaN电子阻档层倒数第二层势垒,显著提高了光输出功率,减少漏电流.数值模拟分析表明,改良多量子阱势垒能够大幅提高高亮度,高功率器件结构光电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游瑜婷		1	0	0.0	0.0