PVT法制备4英寸碳化硅单晶研究

• 作者: 郝建民 郭俊敏
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: 4英寸 碳化硅 横向延展 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 研制开发
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: O782
• 语种: 中文
• DOI: 10.11876/mimt2014010018

摘要

本文报道了采用PVT法,通过单晶横向延展技术,成功制备出了4英寸碳化硅单晶,结合计算机模拟计算,重点分析了籽晶石墨托几何结构对单晶尺寸延展的影响,结果表明圆台结构的籽晶石墨托更有利于单晶生长初期的迅速横向延展,进而实现大尺寸碳化硅单晶的生长,该理论分析结果与试验结果完全吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝建民		23	56	4.0	6.0
2	郭俊敏		5	0	0.0	0.0