InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响

• 作者: 史衍丽 吴波 李建军 杨利鹏 田迎 邓军 韩军
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InP 变掺杂 MOCVD InGaAs
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 415-418
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2600字
• 语种: 中文

摘要

利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53 Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响.本文通过对两侧InP材料的变掺杂处理,实现了In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的有效提高.